junction temperature
Junction temperature — is the highest temperature of the actual semiconductor in an electronic device. In operation it is higher than case temperature, the temperature of the part s exterior. The difference is equal to the amount of heat transferred from the junction… … Wikipedia
virtual junction temperature — virtualioji sandūros temperatūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. virtual junction temperature vok. Ersatz Sperrschichttemperatur, f rus. виртуальная температура перехода, f pranc. température virtuelle de jonction, f … Radioelektronikos terminų žodynas
température virtuelle de jonction — virtualioji sandūros temperatūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. virtual junction temperature vok. Ersatz Sperrschichttemperatur, f rus. виртуальная температура перехода, f pranc. température virtuelle de jonction, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Junction City, Kansas — Infobox Settlement official name = Junction City, Kansas settlement type = City nickname = motto = imagesize = image caption = image imagesize = image caption = image mapsize = 250px map caption = Location of Junction City, Kansas mapsize1 = map… … Wikipedia
Bipolar junction transistor — BJT redirects here. For the Japanese language proficiency test, see Business Japanese Proficiency Test. PNP … Wikipedia
High-temperature superconductivity — Unsolved problems in physics What causes superconductivity at temperatures above 50 kelvin? High temperature superconductors (abbreviated high Tc or HTS) are materials that have a superconducting transition temperature (Tc) above 30 K… … Wikipedia
p-n junction — A silicon p–n junction with no applied voltage. A p–n junction is formed at the boundary between a P type and N type semiconductor created in a single crystal of semiconductor by doping, for example by ion implantation, diffusion of dopants, or… … Wikipedia
Grand Junction, Colorado — Infobox Settlement official name = City of Grand Junction, Colorado other name = native name = nickname = settlement type = City motto = imagesize = image caption = flag size = image seal size = image shield = shield size = image blank emblem =… … Wikipedia
Magnetic Tunnel Junction — Magnetischer Tunnelkontakt (schematisch) Der magnetische Tunnelwiderstand (engl. Tunnel Magneto Resistance, Abk: TMR) ist ein magnetoresistiver Effekt, der in magnetischen Tunnelkontakten auftritt. Dabei handelt es sich um ein Bauelement… … Deutsch Wikipedia
Температура перехода — Junction temperature
Температура перехода , сокращенно от температуры перехода транзистора , является самой высокой рабочей температурой фактического полупроводника в электронном устройстве. В процессе эксплуатации она выше температуры корпуса и температуры внешней части детали. Разница равна количеству тепла, переданному от перехода к корпусу, умноженному на тепловое сопротивление перехода от корпуса к корпусу .
Содержание
Микроскопические эффекты
Различные физические свойства полупроводниковых материалов зависят от температуры. К ним относятся скорость диффузии легирующих элементов, подвижность носителей заряда и термическое производство носителей заряда . На нижнем уровне шум диода сенсора можно уменьшить за счет криогенного охлаждения. На верхнем конце результирующее увеличение локального рассеивания мощности может привести к тепловому разгоне, который может вызвать кратковременный или постоянный отказ устройства.
Расчет максимальной температуры перехода
Максимальная температура перехода (иногда сокращенно TJMax ) указывается в техническом описании детали и используется при расчете необходимого теплового сопротивления корпуса к окружающей среде для заданной рассеиваемой мощности. Это, в свою очередь, используется для выбора подходящего радиатора, если это применимо. Другие методы охлаждения включают термоэлектрическое охлаждение и хладагенты .
В современных процессорах таких производителей, как Intel , AMD , Qualcomm , температура ядра измеряется сетью датчиков. Каждый раз, когда сеть измерения температуры определяет, что повышение T J неизбежно, применяются такие меры, как синхронизация, растяжение тактовой частоты, снижение тактовой частоты и другие (обычно называемые тепловым дросселированием), чтобы предотвратить дальнейшее повышение температуры. Если применяемые механизмы недостаточно компенсируют, чтобы процессор оставался ниже температуры перехода, устройство может отключиться, чтобы предотвратить необратимое повреждение.
Оценка температуры перехода микросхемы T J может быть получена из следующего уравнения:
где: T A = температура окружающей среды для упаковки (° C)
R θJA = переход к тепловому сопротивлению окружающей среды (° C / Вт)
P D = рассеиваемая мощность в корпусе (Вт)
Температура измерительного перехода ( ТДж )
Многие полупроводники и окружающая их оптика имеют небольшие размеры, что затрудняет измерение температуры перехода прямыми методами, такими как термопары и инфракрасные камеры .
Температуру перехода можно измерить косвенно, используя собственную характеристику зависимости напряжения / температуры устройства. В сочетании с техникой Объединенного совета по разработке электронных устройств (JEDEC) , такой как JESD 51-1 и JESD 51-51, этот метод позволяет производить точные измерения Tj. Однако этот метод измерения трудно реализовать в последовательных схемах с несколькими светодиодами из-за высоких синфазных напряжений и необходимости в быстрых импульсах тока с высокой скважностью . Эту трудность можно преодолеть, объединив высокоскоростные цифровые мультиметры с дискретизацией и быстрые высокопроизводительные импульсные источники тока .
Как только температура перехода известна, другой важный параметр, тепловое сопротивление (Rθ) , может быть рассчитан с использованием следующего уравнения:
Температура перехода светодиодов и лазерных диодов
An светодиода или лазерного диода температура перехода (T) является первичным детерминированной для долговременной надежности; это также ключевой фактор для фотометрии . Например, типичный выход белого светодиода снижается на 20% при повышении температуры перехода на 50 ° C. Из — за эту температурную чувствительность, LED эталонов, как IESNA «с LM-85 , необходимо, чтобы температура перехода определяются при принятии фотометрических измерений.
Нагрев перехода в этих устройствах можно минимизировать с помощью метода непрерывного импульсного тестирования, указанного в LM-85. Развертка LI, проведенная с помощью желтого светодиода Osram, показывает, что измерения методом одиночного импульса дают падение выходного светового потока на 25%, а измерения методом тестирования постоянного тока дают падение на 70%.
Температура процессора в даташите
Поскольку у нас тут народ разноодарённый в смежных областях, надеюсь, есть кто по микроэлектронике.
Тут возник некий спор, относительно понимания даташита и того, что в нём написано.
Вопросы: Что такое Operating Junction Temperature и чем она отличается от Operating Amblent Temperature?
Я понимаю, что первая, это собственно температура кристалла, которая возвращается термодатчиком на кристалле (температура процессора), вторая — температура окружающей среды.
Почему вопрос возник.
В "заводском" DTB файле был прописан начальный порог начала троттлинга в 75 C, было обнаружено устройство, которое, вероятно проектировалось более калифицированными инженерами, в котором порог начала троттлинга был повышен до 85 C.
Соответственно, процессор в первом случае довольно хорошо держит температуру до 75C, во втором до 85C.
Так вот, насколько оправданно такое повышение ограничения рабочей температуры?
Температура перехода — Junction temperature
Температура перехода, Короче для транзистор температура перехода, [1] самый высокий Рабочая Температура фактических полупроводник в электронном устройстве. В процессе эксплуатации она выше температуры корпуса и температуры внешней части детали. Разница равна количеству тепла, передаваемому от соединения к корпусу, умноженному на количество тепла от соединения к корпусу. термическое сопротивление.
Содержание
Микроскопические эффекты
Различные физические свойства полупроводниковых материалов зависят от температуры. К ним относятся скорость диффузии присадка элементы мобильность носителей и термическое производство носители заряда. На нижнем уровне шум диода сенсора можно уменьшить за счет криогенного охлаждения. На верхнем конце результирующее увеличение локального рассеивания мощности может привести к тепловой разгон это может вызвать временный или постоянный отказ устройства.
Расчет максимальной температуры перехода
Максимальная температура перехода (иногда сокращенно TJMax) указывается в техническом описании детали и используется при расчете необходимого теплового сопротивления корпуса к окружающей среде для заданной рассеиваемой мощности. Это, в свою очередь, используется для выбора подходящего радиатор если это применимо. Другие методы охлаждения включают: термоэлектрическое охлаждение и охлаждающие жидкости.
В современных процессорах от таких производителей, как Intel, AMD, Qualcomm, внутренняя температура измеряется сетью датчиков. Каждый раз, когда сеть датчиков температуры определяет, что повышение температуры выше TJ неизбежно, для предотвращения дальнейшего повышения температуры применяются такие меры, как синхронизация, растяжение тактовой частоты, снижение тактовой частоты и другие (обычно называемые термическим дросселированием). Если применяемые механизмы недостаточно компенсируют, чтобы процессор оставался ниже температуры перехода, устройство может отключиться, чтобы предотвратить необратимое повреждение. [2]
Оценка температуры перехода кристалла, TJ, можно получить из следующего уравнения: [3]
где: TА = температура окружающей среды для упаковки (° C)
р θJA = переход к тепловому сопротивлению окружающей среды (° C / Вт)
пD = рассеиваемая мощность в корпусе (Вт)
Температура измерительного перехода (ТJ)
Многие полупроводники и окружающая их оптика имеют небольшие размеры, что затрудняет измерение температуры перехода прямыми методами, такими как термопары и инфракрасные камеры.
Температуру перехода можно измерить косвенно, используя собственную характеристику зависимости напряжения / температуры устройства. В сочетании с Объединенный совет по разработке электронных устройств (JEDEC) такой метод, как JESD 51-1 и JESD 51-51, этот метод дает точные измерения Tj. Однако этот метод измерения сложно реализовать в мульти-светодиодном последовательные цепи из-за высоких синфазных напряжений и необходимости быстрого, высокого рабочий цикл импульсы тока. Эту трудность можно преодолеть, объединив высокоскоростные цифровые мультиметры с дискретизацией проб и быстрые импульсные текущие источники. [4]
Как только температура перехода известна, появляется еще один важный параметр, тепловое сопротивление (Rθ), можно рассчитать по следующему уравнению:
Температура перехода светодиодов и лазерных диодов
An ВЕЛ или же лазерный диод температура перехода (Tj) является основным фактором, определяющим долгосрочную надежность; это также ключевой фактор для фотометрия. Например, типичный выход белого светодиода снижается на 20% при повышении температуры перехода на 50 ° C. Из-за этой температурной чувствительности стандарты измерения светодиодов, например IESNA С LM-85, требуют определения температуры перехода при фотометрических измерениях. [5]
Нагрев перехода в этих устройствах можно минимизировать с помощью метода непрерывного импульсного тестирования, указанного в LM-85. L-I развертка, проведенная Osram Желтый светодиод показывает, что измерения методом одиночного импульса дают снижение на 25%. световой поток выход и ОКРУГ КОЛУМБИЯ Измерения, проведенные методом испытаний, дают падение на 70%. [6]